Depuis maintenant deux ans, IBM, Infineon et sa filiale Quimonda travaillent à l'élaboration d'un nouveau type de mémoire qui pourrait, selon eux, venir avantageusement remplacer la mémoire flash telle qu'on la connait aujourd'hui dans les baladeurs ou les Cartes Mémoire.

Ils viennent de présenter les résultats de leurs travaux, qui prennent la forme d'un prototype de mémoire à changement de phase. 500 fois plus rapide que la plus efficace des mémoires flash actuelles, il ne consommerait que la moitié de l'énergie dépensée par une cellule de mémoire flash.

Comme la mémoire flash, la mémoire à changement de phase, ou PRAM (Phase-change Random Access Memory) mise au point par IBM et ses associés est non volatile : elle est donc capable de conserver des données même si elle n'est plus alimentée, contrairement à la DRAM qui équipe nos ordinateurs (mémoire vive). Pour simplifier, la méthode du changement de phase consiste à conserver des données grâce à une modification de la structure de la cellule.

En s'échauffant rapidement, la structure peut être cristalline à un moment et amorphe l'instant d'après. Il suffit d'interpréter cet état pour déterminer le type d'informations contenu, un 0 ou un 1. Pour mettre au point ce prototype, qui sera présenté lors de la conférence International Electron Devices Meeting de l'IEEE cette semaine, les industriels ont utilisé un alliage de germanium et d'antimoine. Cette mémoire à changement de phase permettrait en outre d'envisager des cellules bien moins encombrantes que la mémoire flash. Il serait possible de mettre au point des cellules de 3 à 22 nanomètres seulement.

Samsung est également lancé dans cette voie. En septembre dernier, il annonçait également la mise au point de son premier prototype de mémoire à changement de phase. Les premières déclinaisons commerciales pour ce type de produits ne sont pas attendues avant plusieurs années.